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  • origem do produto:

    CN

  • porto de embarque:

    Shenzhen,Shanghai,Guangzhou

  • cor:

    Grey green

  • tempo de espera:

    in stock

  • Forma de pagamento:

    T/T, PAYPAL

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Detalhes do produto
Carboneto de silício nanoestruturado 4N (β-SiC): Propriedades e aplicações

99,99% beta sicVisão geral do material

O carbeto de silício em nanoescala (nano-SiC) é um material semicondutor de banda larga de terceira geração crucial. Entre seus polimorfos, o carbeto de silício na fase β (β-SiC, também conhecido como 3C-SiC) apresenta uma estrutura cristalina cúbica, oferecendo alta pureza, tamanho de partícula ultrafino e excelentes propriedades em geral. Ele serve como material fundamental para a fabricação de dispositivos de carbeto de silício de alta tecnologia.


99,99% beta sic Processo de preparação

A produção de nano-SiC de alta pureza pela Hongwu Nano adota o método CVD (Deposição Química de Vapor). Controlando com precisão parâmetros do processo, como proporções de gases reativos, temperatura e pressão, é possível regular com exatidão a pureza do pó, a distribuição do tamanho das partículas e a estrutura cristalina. Esse processo produz consistentemente pó de β-SiC em nanoescala com pureza superior a 99,99% (4N), atendendo aos rigorosos requisitos de pureza da indústria de fabricação de semicondutores.

99.99% Beta SiC Nanopowders

99,99% beta sic Principais características de desempenho

1. Propriedades Físicas Excepcionais

O β-SiC apresenta dureza extremamente alta (dureza Mohs 9,5), perdendo apenas para o diamante e o nitreto cúbico de boro, o que lhe confere vantagens inerentes em resistência ao desgaste e aplicações de usinagem de precisão. Sua condutividade térmica é excelente (até 490 W/(m·K)), com baixo coeficiente de expansão térmica e excepcional resistência ao choque térmico, permitindo que mantenha a estabilidade estrutural em ambientes de temperatura extrema. Além disso, o β-SiC possui densidade moderada (3,21 g/cm³) e rigidez específica excepcionalmente alta, facilitando o projeto de componentes de movimento de precisão com dimensões reduzidas.

2. Excelente estabilidade química

O β-SiC de alta pureza demonstra forte inércia química, resistindo à corrosão ácida e alcalina com excelente resistência à oxidação. Em ambientes de processo semicondutor de alta temperatura e altamente corrosivos, ele mantém um desempenho estável a longo prazo, prolongando significativamente a vida útil de componentes críticos.

3. Características superiores dos semicondutores

Como um material semicondutor de banda proibida larga, o β-SiC possui uma banda proibida de aproximadamente 2,3 eV, alta velocidade de deriva de saturação de elétrons, grande resistência ao campo elétrico de ruptura e boa estabilidade térmica. Essas propriedades o tornam valioso não apenas como material estrutural, mas também em aplicações específicas de dispositivos eletrônicos.

4. Efeitos em nanoescala

Quando o tamanho das partículas de β-SiC é reduzido à nanoescala, o material exibe efeitos de superfície significativos, efeitos de tamanho reduzido e efeitos de tamanho quântico. Os nanopós possuem áreas de superfície específicas extremamente grandes e alta atividade de sinterização, permitindo a sinterização por densificação a temperaturas relativamente baixas — uma vantagem para a produção de componentes cerâmicos de carbeto de silício de alto desempenho e alta densidade.


99,99% beta sic Campo de aplicação principals

1. Componentes críticos em equipamentos de fabricação de semicondutores

Em várias etapas da fabricação de chips semicondutores, componentes de precisão sinterizados a partir de pó de β-SiC ultrafino e de alta pureza desempenham papéis insubstituíveis:

Placas de fixação para retificação/polimento: Nos processos de retificação de substratos de wafers e polimento químico-mecânico (CMP), as placas de fixação de SiC aproveitam sua alta dureza, alta planicidade e excelente resistência ao desgaste para fornecer suporte estável e confiável e plataformas de fixação a vácuo para wafers, garantindo precisão de usinagem e qualidade da superfície.

Placas de fixação para litografia: Em processos de fotolitografia, placas de fixação de SiC são utilizadas para fixar e posicionar wafers com precisão. Seu coeficiente de expansão térmica extremamente baixo garante estabilidade dimensional sob condições térmicas complexas, assegurando assim a transferência de alta precisão dos padrões litográficos.

Placas de Inspeção: Durante a inspeção de wafers, as placas de SiC fornecem plataformas de carregamento estáveis ​​para diversos equipamentos de inspeção óptica e elétrica. Sua alta rigidez e baixa vibração contribuem para melhorar a resolução e a confiabilidade da inspeção.

Estágios de Movimento de Precisão: Os sistemas de movimento de precisão em equipamentos semicondutores impõem requisitos extremamente elevados em termos de rigidez do material, estabilidade térmica e design leve. As cerâmicas de carboneto de silício, com sua alta rigidez específica, baixa expansão térmica e excelentes características de amortecimento, são materiais ideais para a fabricação de guias lineares de alta precisão para motores, componentes de mancais de ar e outras peças móveis.

Componentes de SiC de alta pureza para processos de gravação: Em processos de gravação a plasma, o interior dos equipamentos é exposto a gases altamente corrosivos e plasma de alta temperatura. Componentes de SiC de alta pureza (como anéis de foco, placas de distribuição de gás, revestimentos de câmara, etc.) garantem efetivamente a uniformidade do processo de gravação e o rendimento dos chips, graças à sua resistência à corrosão, resistência ao bombardeio de plasma e baixa emissão de impurezas metálicas.

Sistemas de Movimento de Precisão para Embalagem e Teste: Nas etapas de embalagem de chips e testes finais, os materiais de SiC são usados ​​para fabricar mecanismos de coleta e posicionamento e de transferência de alta precisão, garantindo a exatidão da embalagem e a estabilidade dos testes.

2. Aplicações industriais da energia fotovoltaica

Na produção de wafers de silício fotovoltaicos, as pás de SiC são componentes estruturais essenciais em equipamentos de tratamento térmico de alta temperatura, como fornos de difusão e fornos de recozimento. As pás de SiC sinterizadas a partir de pó de β-SiC ultrafino de alta pureza apresentam alta resistência à temperatura, propriedades antideformação e baixa contaminação por impurezas. Elas podem suportar wafers de silício de forma estável durante operação prolongada em alta temperatura, prevenindo eficazmente a contaminação por metais e protegendo a eficiência de conversão e a qualidade das células fotovoltaicas.

3. Outros campos de aplicação de alta tecnologia

Além das principais aplicações mencionadas acima, o pó de nano-β-SiC de alta pureza também é amplamente utilizado em componentes estruturais de alta temperatura para a indústria aeroespacial, materiais resistentes à radiação para a indústria nuclear, rolamentos e vedações de alta qualidade e janelas ópticas especiais, demonstrando amplas perspectivas de desenvolvimento.


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