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Nanofio de carboneto de silício usado em fios Nano SiC de emissão de campo

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Nanofio de carboneto de silício usado em fios Nano SiC de emissão de campo

Hongwu Nano fabrica e fornece materiais de nanocarboneto de silício desde 2002, incluindo partículas de dimensão zero e bigodes unidimensionais e nanofios com várias especificações para atender a diferentes demandas. Qualidade boa e estável para materiais de produção em lote.

  • item número.:

    D500C

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Detalhes do produto

Nanofio de carboneto de silício usado em fios Nano SiC de emissão de campo


Especificação:

Nome: nanofio de carboneto de silício (SiC-NWs)

Diâmetro: 100-500nm

Comprimento: 20-100um

Pureza: 99%

Materiais relacionados: nano/submícron/mícron Pós de SiC, bigode de SiC


Vantagens e aplicações:

Os nanofios de SiC têm excelentes propriedades mecânicas, eletroquímicas e de condutividade térmica, fazendo com que possam ser aplicados em muitos campos, como emissão de campo, materiais de reforço e endurecimento, supercapacitores, catálise de dispositivos de absorção de ondas eletromagnéticas e outros campos.

Emissão em campo:
Como os nanofios de carboneto de silício têm excelente condutividade térmica, sua largura de banda é superior a 2,3 eV e seu desempenho de emissão de campo é excelente, eles podem ser usados ​​em chips de circuitos integrados, dispositivos microeletrônicos a vácuo, etc. .

As informações acima são apenas para referência. Para mais detalhes, eles estão sujeitos a aplicações e testes reais.


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