Indatrafina Sinws silicone nanofias para celular solar

Hongwu fornece nanofios de silício de alta pureza sem dopagem com remessa para todo o mundo De nós, você pode facilmente comprar nanofios de silício por um preço menor. Fabricante e fornecedor de nanofios de silício SiNW.

Como um representante típico de nanomateriais unidimensionais, os nanofios de silício não apenas possuem propriedades especiais de semicondutores, mas também apresentam propriedades físicas como emissão de campo, condutividade térmica e luminescência de luz visível que são diferentes dos materiais de silício a granel. Os nanofios de Si têm um enorme valor potencial de aplicação em dispositivos e novas energias.

nanofios de óxido de zinco / zno nws, como material ideal para a preparação de dispositivos do tipo contato schottky hongwu nanômetro é profissional fabricante, fornecedor e exportador na China para materiais nano na china. nossa especificação de nanofios de óxido de zinco de zno como segue: 1. d: 20-80nm, l: 2um, 99,9% 2. d: u0026 lt; 50 nm, l: 1-2um, 99,9% 3 d: u0026 lt; 120nm, l: 1-3um, 99,9% como a detecção de ácidos nucléicos é cada vez mais amplamente aplicada à tecnologia de genotipagem, diagnósticos clínicos e pesquisas biomédicas e outros campos, a detecção óptica tradicional e tecnologia pcr em tempo real tem algumas desvantagens, como alto custo, não mais pode atender a demanda que o dispositivos exigem o teste com alta relação custo-benefício, alta velocidade e alta sensibilidade. em contraste, o material unidimensional representado pelo dispositivo de detecção não marcado, devido a uma área de superfície específica alta, pode oferecer a possibilidade de testes de DNA simples, efetivos e de baixo custo. O fet baseado em nanofios semicondutores é um dispositivo de grande potencial. em que, alterar a interface metal - semicondutor da altura da barreira schottky (sbh) pode modular o desempenho do dispositivo, que é um ponto crítico para os pesquisadores. nanofios de óxido de zinco / zno nws com excelente desempenho semicondutor e piezoelétrico, é um material ideal para a preparação de dispositivos tipo contato schottky. pesquisadores do centro nacional de nanociência e outras instituições fizeram uso de cepas externas de nanofios de óxido de zinco para produzir potencial piezelétrico. em seguida, com base no efeito piezoelétrico, o potencial pode ser aumentado ou diminuído o efeito de interface de transporte sbh, o transporte transportadora, de modo que alterar as propriedades de dispositivos baseados em nanofios. além disso, fazendo a hibridação específica entre o cdNA alvo complementar da sonda e o dna de cadeia simples adsorvido com nanofio (o ssdna), o dispositivo pode alcançar a função de detecção seletiva. Os resultados experimentais deste trabalho mostraram que, quando a deformação compressiva aplicada ao sensor de dna à base de nanofios de óxido de zinco se tornou -0,59%, o valor relativo da resposta atual aumentou em 454%. Isso ilustrou totalmente que o método modificado usando um efeito eletrônico do dispositivo piezoelétrico pode melhorar significativamente o desempenho de detecção do sensor de DNA baseado em nanofios do tipo de contato schottky. por corrine

as nanopartículas de diamante são super duras, superficiais e com alta área de superfície, podem ser usadas para fazer líquido de polimento com nano-diamante. & nbsp;

nano mao em pó tem alta pureza, cor branca e alto grau de lubrificação.

pó de liga nano ni-cu, alta pureza, tamanho de partícula uniforme, boa esfericidade, dispersão e retração de sinterização é pó preto pequeno e escuro.

nanopowder de trifluoreto de lantânio está no tamanho de partícula 40nm, 90% de pureza.

nanopartículas de carboneto de silício (sic) / nanopartículas (sic, beta, 99%, 50nm, cúbico) parâmetros técnicos de carboneto de silício (sic) nanopowder / nanoparticles ： partículatamanho: 50nm, 100nm, 500nm, 100-200nm, 0.5um, 1-2um, 5um, 7um, 10um, 15um pureza: 99% Nota:Outras especificações de tamanho dos produtos, nós podemos fornece personalizadoProdução. temperatura de decomposição: 2973k coeficiente de expansão térmica: 6,58x10-6 a 373k coeficiente de expansão térmica: 2.98x10-6 a 1173k coeficiente de compressibilidade: 0,21x10-6 densidade (288 k): 3,216 g / cm3 dureza: 9,5 mohs Potência de aquecimento (kj / mol): 30.343 características de carboneto de silício (sic) nanopowder / nanoparticles: 1o pó beta sic tem alta estabilidade química, baixo coeficiente de expansão térmica,alta condutividade térmica, características de temperatura de resistência é o opostopara metal; 2 O pó beta sic tem alta dureza, comdureza de 9,5, ao lado da dismond, é o material resistente ao desgaste; 3beta sic pó tem alta resistência à temperatura, resistência à corrosão,resistência ao solvente ácido e alcalino 4o pó beta sic tem boa dureza, excelente desempenho de moagem, excelentecondutividade térmica da eletricidade. campos de aplicação de carboneto de silício (sic) nanopowder / nanoparticles: Comomaterial de nylon de alta resistência modificada: nano beta sic pó tem boadispersão de compatibilidade em compósitos poliméricos, e boa associatividade básica,depois de modificada a força de tração de liga de nylon é 150% maior do que o normalpa6, o desempenho de resistência ao desgaste aumentou mais de três vezes. usado principalmentepara as peças de polímero de veículos blindados, peças de direção automotiva,máquinas têxteis, placa de forro de máquinas de mineração. como plásticos de engenharia especiais modificadosdesempenho resistentes ao desgaste da cetona do éter do polyether (espreitar): ao adicionar a quantidadeé de aproximadamente 5%, pode melhorar muito e aumentar a usabilidade de espiar(aumentado em mais de 30%) mais informações, os pls contatam-nos em hwnano@xuzhounano.com. por alisa

ferramentas de corte usaram 99,9% de diboreto de titânio nano em pó (tib2) disponível em 100-200nm.

pó de trifluoreto de lantânio a Quase insolúvel em água, mas dispersibilidade bem em álcool.

floco prateado em pó amplamente utilizado em pasta condutora de prata, revestimentos condutivos, adesivos condutivos, etc.

pó de carboneto de silício beta amplamente utilizado em materiais semicondutores.