Fabricante de dispersão aquosa de nanotubos de carbono de parede simples SWCNTs

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dispersão de água de swnt pode facilitar a incorporação de nanotubos individuais na matriz para reforço do compósito materiais.

nanofios de prata nanoestruturados bem controlados de uma dimensão （D u0026 lt; 30nm, l u0026 gt; 20um） nanofios de nanofios de nanotecnologia unidimensionais (agnws): nanofios de prata , diâmetro médio: u0026 lt; 30 nm, comprimento superior a 20 µm nanofios de prata , diâmetro médio: u0026 lt; 50 nm, comprimento superior a 20 µm nanofios de prata , diâmetro médio: u0026 lt; 100 nm, comprimento superior a 10 µm dispersão: em água, etanol ou álcool isopropílico. nanofios de prata (ag nws) prometem materiais condutores da próxima geração com potencial para substituir os materiais de eletrodos tradicionais, como o óxido de índio e estanho, em dispositivos elétricos e ópticos. este material combina várias vantagens, incluindo propriedades ópticas sintonizáveis, plasmônicas e excelentes propriedades elétricas. pesquisa recente se concentrou na aplicação de s aplicações de nanofios ilver: 1 u0026 gt; aplicações condutoras: leds de alta intensidade, telas de toque material de eletrodo em displays de cristal líquido, adesivos condutivos, sensores. 2 u0026 gt; aplicações antimicrobianas: air & purificação de água, bandagens, filmes, preservação de alimentos, roupas. 3 u0026 gt; química & térmica: catalisadores, pastas, adesivos condutivos, polímeros; sensores de vapor químico. 4 u0026 gt; aplicações ópticas: solar; imagens médicas; espectroscopia de superfície melhorada; diodos emissores de luz.

nanopartículas de níquel com alta pureza que usar como alta performanceligante de soldagem eletrodo e o catalisador eficaz.

nanopartículas de óxido de estanho de índio é pó amarelo, é a matéria-prima alvo da ito.

pós esféricos de nano bismuto é amplamente utilizado em aditivos lubrificantes, aditivos metalúrgicos. & nbsp;

pós de grafeno de camada única como os mais leves e finos material no mundo que irá substituir um material ideal para a fabricação de transistores de silício no campo hiperfino de microeletrônica no futuro.