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filme swcnt como um revestimento condutor transparente e flexível

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  • nanopós de beta sic 99,99%

    nanopós de beta sic de alta pureza 99,99% Nosso β-SiC nano 4N (pureza de 99,99%) é sintetizado com precisão via CVD, oferecendo tamanho de partícula ultrafino com excepcional atividade de sinterização para componentes cerâmicos de alta densidade. Ele se destaca nos ambientes semicondutores mais exigentes — desde mandris de CMP e estágios de litografia até anéis de foco de gravação a plasma e revestimentos de câmaras. Sua inércia química e mínima liberação de impurezas metálicas maximizam o rendimento do chip onde mais importa. Utilizado por fábricas e fabricantes de equipamentos líderes em todo o mundo. more

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    Dispersão/coloide aquoso de nano SiO₂ esférico monodisperso Esta dispersão aquosa transparente de SiO₂ é sintetizada por meio de tecnologia sol-gel patenteada, apresentando excelente desempenho óptico, transmitância de luz visível e vida útil >18 meses sob armazenamento em condições ambientes. É amplamente utilizada na eletrônica como materiais dielétricos de baixa constante dielétrica (low-k), na biomedicina como carreadores de fármacos, e na óptica para revestimentos antirreflexo. more

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    Pó de subóxido de titânio nano fase Magnéli Ti₄O₇ fase de Magnéli O óxido subestequiométrico de titânio nano (Ti₄O₇) é um material funcional avançado com uma estrutura cristalina única, aparecendo como um pó azul-preto com um tamanho de partícula precisamente controlado de 200–300 nm e uma pureza de até 99,9%. Como um importante membro da família dos óxidos de titânio, o Ti₄O₇ combina excelente condutividade elétrica, estabilidade química e atividade catalítica, tornando-o uma escolha ideal para novas energias, proteção ambiental e aplicações eletrônicas. more

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    Nanotubos de nitreto de boro (BNNTs): Filleres de dissipação de calor de alta condutividade térmica Os BNNTs compartilham a estrutura tubular dos nanotubos de carbono, mas apresentam propriedades fundamentalmente diferentes: isolamento elétrico, estabilidade térmica superior (até 900°C no ar) e alta condutividade térmica. Com um amplo bandgap de ~5,5 eV, eles oferecem desempenho consistente e previsível onde os CNTs ficam aquém. more

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filme swcnt como um revestimento condutor transparente e flexível

  • October 20,2014.

nanotubos de carbono de parede única (swnts) tem atraído interesse de pesquisa substancial durante a última década, devido a sua estrutura quase-um dimentional única, tamanho de nanômetro, bem como excepcionais propriedades elétricas, mecânicas, ópticas, térmicas e químicas. entre esses atributos, suas propriedades mecânicas e elétricas são mais perceptíveis. Os nanotubos são as fibras mais fortes do mundo, com módulo de um jovem na faixa de 1-2 tpa e sutura de fratura de -50 gpa, conforme determinado a partir de feixes swnt como bem como matrizes de swnts isolados.


dependendo da sua quiralidade e diâmetro, os swnts podem comportar-se como um material metálico, ou seja, um material com intervalo de bandas nulo ou um material semicondutor. As redes de semicondutores são consideradas um candidato a material muito promissor para substituir ou complementar o silício monocristalino na próxima geração de dispositivos nanoeletrônicos de alto desempenho, enquanto os swnts metálicos são propostos para substituir fios de cobre como interconexões avançadas em chips de microprocessadores.


o uso de filmes swnt como materiais condutores parece ser uma idéia simples. no entanto, as proprie- dades elétricas globais são intrinsecamente dependentes de uma variedade de parâmetros, como doping médio e acidental do amnbient. para filmes condutores, swtts longos e de diâmetro relativamente grande, que podem minimizar o papel das junções swnt-swnt no transporte e no bandgap de swtcts, são desejados. a condutância pode ser ainda melhorada por doping com ácido / oxigênio forte ou por hibridização com nanopartículas de au.


A combinação dos filmes swnt condutores com filmes swnt semicondutores permitiu a realização de transistores transparentes flexíveis usando swnts para todas as camadas portadoras de corrente.



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