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A temperatura de transição de fase metal-semicondutor do dióxido de vanádio pode ser reduzida à temperatura ambiente ou mais baixa por dopagem com tungstênio.
O revestimento de mistura de nanopartículas de dióxido de vanádio dopado com tungstênio pode apresentar propriedades termocrômicas à temperatura ambiente. Seu valor de aplicação potencial inclui película de escurecimento de edifícios, materiais de termistor, materiais de comutação fotoelétrica, elementos de imagem infravermelha.
origem do produto:
Chinaitem número.:
WP501porto de embarque:
Guangzhou, Shanghaicor:
blacktempo de espera:
in stockA temperatura de transição de fase metal-semicondutor do dióxido de vanádio pode ser reduzida à temperatura ambiente ou mais baixa por dopagem com tungstênio.
Produtos: Nanopartículas de dióxido de vanádio dopado com tungstênio
Fórmula: W-VO2
Dopado: 1% W, 1,5W%, 2% W, personalizado
Tamanho da partícula: 100-200nm
Pureza: ≥99%
Cor: Preto acinzentado
O método de dopagem é o principal método para reduzir a temperatura de transição de fase do VO2.
B Por pulverização catódica por magnetron, filmes finos de VO2 com resistência variando em duas ordens de magnitude foram obtidos em wafers de silício. As propriedades elétricas dos filmes foram testadas. Os resultados mostram que a temperatura de transição de fase do filme de dióxido de vanádio dopado com tungstênio é menor do que a do filme de dióxido de vanádio puro, e a transmitância do infravermelho próximo do filme de dióxido de vanádio dopado com tungstênio também é reduzida.
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Dióxido de nano vanádio dopado com tungstênio com temperatura de transição de fase de 30 graus W dopado VO2Próximo :
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