pó nano do óxido de zircônia do material resistentes ao calor

pó de óxido de zircônio estável ítrio composta ultrafina de alta pureza usado como matéria-prima básica para fazer cerâmica de zircônio, material refratário de alto padrão, dispositivos de comunicação óptica, novos materiais de energia.

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pó de zircônia estabilizada com ítria (ysz) usado no dispositivo de medição de oxigênio (sensor de oxigênio) de usinas termoelétricas a carvão.

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hongwu internationg group ltd fornecer nanopowder de dióxido de zircônio com 60-80nm com 99,9%. Pós de zro2 de 0.3-0.5um e 1-3um também estão disponíveis.

No óxido de zircônio adicionado de ítrio, o óxido de ítrio é usado como estabilizador e este material é principalmente uma estrutura tetragonal. Possui a maior resistência à flexão de todos os materiais de zircônia, especialmente quando sinterizado e prensado. A zircônia estabilizada com ítrio possui grãos finos e é adequada para uso em ferramentas de corte devido à sua alta resistência ao desgaste. Ele é usado para cortar uma parte de canto muito viva. Os excelentes grãos de cristal tornam a cerâmica produzida densa, sem muitos poros, e tem excelente resistência mecânica, resistência à corrosão, resistência ao impacto, resistência ao choque térmico e condutividade térmica extremamente baixa. Devido a essas características, a zircônia estabilizada com ítrio é usada principalmente em peças resistentes ao desgaste, ferramentas de corte e revestimentos de barreira térmica.

nanotubos de carbono de parede única podem ser usados ​​na fabricação de dispositivos eletrônicos vestíveis, porque os filmes formados por nanotubos de carbono de parede única têm boas propriedades mecânicas e elétricas e sua condutividade elétrica permanece inalterada mesmo sob condições de tração de 140%.

Hongwu Nano Ru02 Tem boa atividade catalítica, propriedades químicas estáveis e é uma like de metal propriedades de óxidos metálicos de alta condutividade, foram amplamente utilizados no pasta de resistência,a catálise eletroquímica, Chlor-Alkali Indústria e campos de circuitos integrados .